Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (1) | Реферативна база даних (20) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Skryshevsky V$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 12 Представлено документи з 1 до 12 |
|||
| 1. | 
Manilov A. I. Electrophysical properties of meso-porous silicon free standing films modified with palladium [Електронний ресурс] / A. I. Manilov, V. A. Skryshevsky, S. A. Alekseev, G. V. Kuznetsov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 1. - С. 1-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_1_3 Resistivity and complex impedance voltage dependences for thick mesoporous silicon free layers were studied in this work. The asymmetrical by the sign of applied voltage experimental curves at low frequencies have been obtained. Modification of electrophysical properties due to introduction of palladium particles into the porous matrix is observed. Impedance change regularities during oxidation of the samples have been measured. The explanation of experimental results by asymmetrical distribution of charge carrier traps in the bulk of porous silicon has been suggested. Energy band diagrams and charge transfer mechanisms of these heterostructures are discussed. | ||
| 2. | 
Tsymbaliuk O. V. Histamine- and nicotine-stimulated modulations of mechanic activity of smooth muscles in gastrointestinal tract at the impact of nanosized TiO 2 material [Електронний ресурс] / O. V. Tsymbaliuk, A. M. Naumenko, M. A. Skoryk, O. Yu. Nyporko, T. L. Davidovska, V. A. Skryshevsky // Biopolymers and cell. - 2016. - Vol. 32, № 2. - С. 140-149. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/BPK_2016_32_2_9 Мета роботи - дослідити дію нанорозмірного матеріалу діоксиду титану (TiO | ||
| 3. | 
Milovanov Yu. S. Peculiarities of current transport in titanium oxide-silicon heterostructures [Електронний ресурс] / Yu. S. Milovanov, I. V. Gavrilchenko, V. Ya. Gayvoronsky, G. V. Kuznetsov, V. A. Skryshevsky // Ukrainian journal of physics. - 2012. - Vol. 57, № 5. - С. 545-551. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2012_57_5_11 | ||
| 4. |
Kozinetz A. V. Physical properties of silicon sensor structures with photoelectric transformation on the basis of "deep" p–n-junction [Електронний ресурс] / A. V. Kozinetz, S. V. Litvinenko, V. A. Skryshevsky // Ukrainian journal of physics. - 2017. - Vol. 62, № 4. - С. 318-325. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2017_62_4_8 | ||
| 5. | 
Naumenko A. M. Nanosized titanium dioxide material. Modulation of spontaneous motility and gaba-dependent regulation of functions of stomach smooth muscles in vivo [Електронний ресурс] / A. M. Naumenko, O. V. Tsymbalуuk, M. A. Skoryk, I. S. Voiteshenko, V. A. Skryshevsky, T. L. Davydovska // Біологічні студії. - 2017. - Т. 11, № 1. - С. 5-16. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/bist_2017_11_1_2 Застосування електронної скануючої мікроскопії надало змогу одержати зображення та визначити розміри наночастинок TiO | ||
| 6. | 
Kozinetz A. V. Amorphous submicron layer in depletion region: new approach to increase the silicon solar cell efficiency [Електронний ресурс] / A. V. Kozinetz, V. A. Skryshevsky // Український фізичний журнал. - 2018. - Т. 63, № 1. - С. 37-47. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/UPhJ_2018_63_1_7 Створення тонкого субмікронного аморфізованого шару (АШ) в області просторового заряду кремнієвого фотоперетворювача може збільшувати коефіцієнт корисної дії за рахунок домішкового фотоелектричного ефекту. Раніше цей підхід був застосований до структур з модифікованим шаром в області емітера. Такий шар можна створити за допомогою іонної імплантації. Вбудова шару в область просторового заряду є перспективним підходом, оскільки надає змогу досягти зменшення впливу рекомбінації (через енергетичні рівні в забороненій зоні та рівні, пов'язані із локальними станами інтерфейсів). Параметри фотоперетворення модифікованої структури досліджено за допомогою методу числового моделювання, який надає змогу одержати світлові вольтамперні характеристики для різних параметрів АШ. На підставі цих результатів визначено оптимальні параметри АШ. У такому випадку щільність струму короткого замикання збільшується завдяки поглинанню фотонів з енергією, меншою ніж ширина забороненої зони кремнію 1,12 еВ, а напруга холостого ходу та фактор заповнення залишаються майже без змін. Теоретично можливо одержати підвищення ефективності на 1 - 2 % за абсолютною величиною. Це можливо, якщо шар з бар'єром у валентній зоні (менше, ніж 0,4 еВ) та бар'єром у зоні провідності (менше, ніж 0,1 еВ) створено у площині, яка відповідає близько 0,3 ширини області простору заряду. У іншому випадку деградація струму короткого замикання і фактора заповнення нівелює позитивний ефект додаткової фотогенерації. Збільшення напруги холостого ходу на 10 - 12 % (внаслідок обмеження інжекції в p-базу) супроводжується суттєвою деградацією щільності струму короткого замикання. Так, для збільшення напруги холостого ходу шар із суттєвим потенціальним бар'єром в зоні провідності (близько 0,4 еВ) має бути розташованим поблизу базової області. | ||
| 7. |
Kozinetz A. V. Amorphous submicron layer in depletion region: new approach to increase the silicon solar cell efficiency [Електронний ресурс] / A. V. Kozinetz, V. A. Skryshevsky // Ukrainian journal of physics. - 2018. - Vol. 63, № 1. - С. 38-48. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Ukjourph_2018_63_1_7 Створення тонкого субмікронного аморфізованого шару (АШ) в області просторового заряду кремнієвого фотоперетворювача може збільшувати коефіцієнт корисної дії за рахунок домішкового фотоелектричного ефекту. Раніше цей підхід був застосований до структур з модифікованим шаром в області емітера. Такий шар можна створити за допомогою іонної імплантації. Вбудова шару в область просторового заряду є перспективним підходом, оскільки надає змогу досягти зменшення впливу рекомбінації (через енергетичні рівні в забороненій зоні та рівні, пов'язані із локальними станами інтерфейсів). Параметри фотоперетворення модифікованої структури досліджено за допомогою методу числового моделювання, який надає змогу одержати світлові вольтамперні характеристики для різних параметрів АШ. На підставі цих результатів визначено оптимальні параметри АШ. У такому випадку щільність струму короткого замикання збільшується завдяки поглинанню фотонів з енергією, меншою ніж ширина забороненої зони кремнію 1,12 еВ, а напруга холостого ходу та фактор заповнення залишаються майже без змін. Теоретично можливо одержати підвищення ефективності на 1 - 2 % за абсолютною величиною. Це можливо, якщо шар з бар'єром у валентній зоні (менше, ніж 0,4 еВ) та бар'єром у зоні провідності (менше, ніж 0,1 еВ) створено у площині, яка відповідає близько 0,3 ширини області простору заряду. У іншому випадку деградація струму короткого замикання і фактора заповнення нівелює позитивний ефект додаткової фотогенерації. Збільшення напруги холостого ходу на 10 - 12 % (внаслідок обмеження інжекції в p-базу) супроводжується суттєвою деградацією щільності струму короткого замикання. Так, для збільшення напруги холостого ходу шар із суттєвим потенціальним бар'єром в зоні провідності (близько 0,4 еВ) має бути розташованим поблизу базової області. | ||
| 8. |
Slobodian O. M. Reduced graphene oxide obtained using the spray pyrolysis technique for gas sensing [Електронний ресурс] / O. M. Slobodian, Yu. S. Milovanov, V. A. Skryshevsky, A. V. Vasin, X. Tang, J.-P. Raskin, P. M. Lytvyn, K. V. Svezhentsova, S. V. Malyuta, A. N. Nazarov // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2019. - Vol. 22, № 1. - С. 98-103. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2019_22_1_17 Graphene oxide films were formed using the ultrasonic spray coating method and studied with micro-Raman spectroscopy, atomic force microscopy, and electrical dynamic response of resistance measurements. Effect of different gases (water vapor, ethanol, acetone, ammonia, and isopropyl) on the dynamic response of resistance of the Au/graphene oxide/Au structure has been studied. The dynamic response shows that adsorption of all mentioned gases results in increase of the resistance. For ethanol, acetone and isopropyl adsorption and desorption cycles are almost identical. At the same time, in the case of water vapor and ammonia the cycle of desorption is very week, especially for the former, which attests different mechanisms of adsorption/desorption processes regarding to ethanol, acetone and isopropyl. The mechanisms of studied vapors adsorption/desorption are proposed. | ||
| 9. | 
Kozinets А. V. Deep Silicon Barrier Structure as Chemical Sensor for Detection of Hydrochloric Acid Salt Solutions [Електронний ресурс] / А. V. Kozinets, A. I. Manilov, S. A. Alekseev, S. V. Litvinenko, V. V. Lysenko, V. A. Skryshevsky // Journal of nano- and electronic physics. - 2020. - Vol. 12, no. 3. - С. 03015-1-03015-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2020_12_3_17 Розглянуто можливість виявлення солей соляної кислоти за допомогою кремнієвих сенсорних структур з фотоелектричним принципом перетворення. Запропоновані структури реалізують принцип перетворення, що відрізняється від принципу, який застосовано у відомих структурах типу LAPS (потенціометричний сенсор із світловою адресацією). Основою таких пристроїв є "глибока" кремнієва бар'єрна структура. У запропонованій схемі сигналом датчика є фотострум через бар'єрну структуру, індукований світлом із області сильного поглинання кремнію. Це надає змогу одержувати максимальні зміни фотоструму внаслідок зміни швидкості рекомбінації на робочій поверхні. Зазначено, що запропонована структура надає змогу більш просту технічну реалізацію, ніж структури LAPS. Експериментально досліджено декілька аналітів (хлоридів), які містять метали з різною відносною електронегативністю (Fe, Zn та Al). Експериментально показано, що залежність фотоструму від напруги поляризації (напруга, яка змінює приповерхневий вигин зон) є інформативною для виявлення таких аналітів. В межах моделі Стівенсона - Кейса одержані результати можна пояснити якісно. Основною причиною, яка надає змогу виявлити такі аналіти, є вплив локального електростатичного поля адсорбованих іонів на параметри рекомбінації поверхні кремнію. | ||
| 10. |
Gavrilchenko I. V. Luminescent Properties of Electrochemically Etched Gallium Arsenide [Електронний ресурс] / I. V. Gavrilchenko, Y. S. Milovanov, I. I. Ivanov, A. N. Zaderko, A. P. Oksanich, S. E. Pritchin, M. G. Kogdas, M. I. Fedorchenko, S. N. Goysa, V. A. Skryshevsky // Journal of nano- and electronic physics. - 2021. - Vol. 13, no. 4. - С. 04011-1-04011-6. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2021_13_4_13 Наведено результати структурних і фотолюмінесцентних (ФЛ) досліджень пористих шарів GaAs, що створюються шляхом електрохімічного травлення пластин GaAs. Структурні та морфологічні властивості пористого GaAs проаналізовано за методом СЕМ та за допомогою Оже-спектроскопії. При аналізі СEM зображень було показано наявність пористого шару глибиною близько 21 мкм, що складався з нерівномірно розподілених по поверхні мезо- та макропор і нанокристалітів. На деяких структурах було виявлено пірамідальні утворення висотою ~ 30 мкм. Виміри Оже-спектрів показали різну стехіометрію GaAs на пористих і кристалічних частинах зразків. Фотолюмінесценція утвореного матеріалу характеризувалася смугою випромінювання в області 1,5 - 3,2 еВ, причому спостерігалась залежність спектра ФЛ від довжини хвилі збуджуючого світла. Зі збільшенням довжини хвилі збуджуючого світла максимуми спектрів випромінювання зміщуються в область менших енергій. Така поведінка спектра ФЛ (зсув максимуму ФЛ залежно від довжини хвилі збуджуючого випромінювання) характерна для гетерогенних по товщині електрохімічно травлених пористих структур. Обговорено природу багатосмугового спектра ФЛ пористого GaAs за рахунок існування гідратованих оксидів арсену та галію на поверхні зразків та утворення нанокристалітів у пористих шарах GaAs. В роботі представлено оцінку можливих розмірів нанокристалітів у припущенні, що ФЛ створюється за рахунок квантово-розмірних ефектів. | ||
| 11. |
Skryshevsky V. A. Application of Harmonic Analysis and Principal Component Analysis for Discrimination of Adsorbates in Gas-Sensitive ITO/Nanostructured TiO2 Heterojunction [Електронний ресурс] / V. A. Skryshevsky, O. M. Kostiukevych, I. I. Ivanov // Journal of nano- and electronic physics. - 2022. - Vol. 14, no. 1. - С. 01005-1-01005-5. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/jnef_2022_14_1_7 Швидке перетворення Фур'є та метод головних компонент було застосовано для реалізації селективного методу розрізнення адсорбатів за допомогою спектрального аналізу імпульсів струму крізь газочутливу гетероструктуру ITO/наноструктурований TiO | ||
| 12. |
Tsymbalyuk O. V. Mechanokinetics of the spontaneous contractions of smooth muscles in the stomach and large intestine of rats under chronic effect of ТiО2 nanoparticles [Електронний ресурс] / O. V. Tsymbalyuk, L. A. Hurskyi, T. L. Davydovska, I. S. Voiteshenko, Kh. V. Sholota, M. S. Kozolup, O. V. Savchenko, A. M. Naumenko, V. A. Skryshevsky // Біологічні студії. - 2023. - Т. 17, № 1. - С. 19-34. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/bist_2023_17_1_4 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |